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参数资料
| 型号： | 25AA512T-I/SM |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 2,100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 25AA512T-I/SMTR |
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25AA512
Read Sequence
The device is selected by pulling CS low. The 8-bit
READ instruction is transmitted to the 25AA512 fol-
lowed by the 16-bit address. After the correct READ
instruction and address are sent, the data stored in the
memory at the selected address is shifted out on the
SO pin. The data stored in the memory at the next
address can be read sequentially by continuing to
provide clock pulses. The internal Address Pointer is
automatically incremented to the next higher address
after each byte of data is shifted out. When the highest
address is reached (FFFFh), the address counter rolls
over to address 0000h allowing the read cycle to be
continued indefinitely. The READ instruction is
terminated by raising the CS pin (Figure 2-1).
FIGURE 2-1:
CS
READ SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 11
2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 2 6 2 7 2 8 2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
16-bit Address
SI
0
0
0
0
0
0
1
1 15 14 13 12
2
1
0
High-Impedance
Data Out
SO
7
6
5
4
3
2
1
0
DS22021F-page 8
? 2010 Microchip Technology Inc.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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