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参数资料
| 型号： | 2N6109AJ |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/60页 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | 2N6109AJ |
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3–101
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC = 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
VCEO(sus) = 50 Vdc (Min) — 2N6109
VCEO(sus) = 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
fT = 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
TO–220AB Compact Package
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
2N6111
2N6288
2N6109
2N6107
2N6292
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
30
50
70
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
40
60
80
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
7.0
10
Adc
Base Current
IB
3.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
40
0.32
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
3.125
_C/W
* Indicates JEDEC Registered Data.
40
0
20
40
60
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
20
30
140
10
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6057 thru 2N6059
(See 2N6050)
2N6107
2N6109
2N6111
2N6288
2N6292
*Motorola Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30 – 50 – 70 VOLTS
40 WATTS
*
CASE 221A–06
TO–220AB
PNP
NPN
REV 2
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