- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41443 > 2N6109AJ (ON SEMICONDUCTOR) 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N6109AJ |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件页数： | 23/60页 |
| 文件大小： | 371K |
| 代理商： | 2N6109AJ |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
3–103
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t)
,TRANSIENT
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.05
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
1.0 k
500
Z
θJC(t) = r(t) RθJC
R
θJC = 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02
0.1
0.5
0.2
15
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
7.0
5.0
2.0
0.15
5.0
10
CURRENT LIMIT
SECONDARY
BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
7.0
I C
,C
OLLE
CT
OR
C
URREN
T
(AMPS
)
dc
0.1 ms
1.0
0.5
0.2
0.3
2.0
3.0
0.5 ms
20
30
50
70 100
3.0
0.7
0.1
ms
5.0 ms
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150_C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
v 150_C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
300
0.5
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
3.0
5.0
50
1.0
2.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
200
70
50
TJ = 25°C
Cib
100
Figure 6. Turn–Off Time
10
20
30
5.0
0.07
Figure 7. Capacitance
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
2.0
3.0
7.0
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
0.1
t,
T
IME
(
s)
tr
1.0
5.0
0.2
0.07
ts
Cob
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6288AK | 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6111DW | 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6292AN | 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6292AS | 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N6288AS | 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6109G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 50V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6110 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N6111 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
| 2N6111G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。