型号: | 2N6109AJ |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 7 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封装: | TO-220AB, 3 PIN |
文件页数: | 60/60页 |
文件大小: | 371K |
代理商: | 2N6109AJ |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N6110 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
2N6111 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6111_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:SILICON PNP SWITCHING TRANSISTOR |
2N6111G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 7A 30V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |