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参数资料
| 型号： | 2N6515D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2N6515D74Z |
0.46
±0.10
1.27TYP
(R2.29)
3.86MAX
[1.27
±0.20]
1.27TYP
[1.27
±0.20]
3.60
±0.20
14.47
±0.40
1.02
±0.10
(0.25)
4.58
±0.20
4.58
+0.25
–0.15
0.38
+0.10
–0.05
0.38
+0.10
–0.05
TO-92
Package Demensions
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
2N65
15
Dimensions in Millimeters
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6515D27Z | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6515D26Z | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6515TA | 500 mA, 250 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6517C | 500 mA, 400 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6518BU | 500 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N6515RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515RLRMG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6515TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6516 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N6516BU | 功能描述:两极晶体管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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