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参数资料
| 型号： | 2N7000D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 文件页数： | 10/14页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | 2N7000D74Z |
2N7000.SAM Rev. A1
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
T , JUNCTION TEM PERATURE (°C)
DRAIN-SOURCE
BREAKDO
WN
VOLTAG
E
J
BV
,
NORMALIZED
DSS
I
= 250A
D
0 .2
0 .4
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
0 .001
0 .005
0 .01
0 .05
0 .1
0 .5
1
2
V
, BODY DIODE FORWA RD VOLTAGE (V)
I
,
REVERSE
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 0V
GS
T = 125° C
J
SD
S
25° C
-55° C
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
2
4
6
8
10
Q
, GATE CHARGE (nC)
V
,
GAT
E-SO
URCE
VOLTAGE
(V)
g
GS
I
=500 mA
D
V
= 25V
DS
115 mA
280 mA
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAPACITANCE
(pF)
DS
C iss
f = 1 MH z
V
= 0V
GS
C oss
C rss
G
D
S
VDD
R
L
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t on
toff
td(off)
t f
tr
t d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Figure 9. Capacitance Characteristics
Figure 10. Gate Charge Characteristics
Figure 11.
Figure 12. Switching Waveforms
Typical Electrical Characteristics (continued)
2N7000 / 2N7002 /NDS7002A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000J18Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000L-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-K | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000L | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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