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参数资料
| 型号： | 2N7000D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | 2N7000D74Z |
Electrical Characteristics T
A = 25
oC unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
e
Min
Typ
Max
Units
ON CHARACTERISTICS
Continued (Note 1)
I
D(ON)
On-State Drain Current
V
GS = 4.5 V,
V
DS = 10 V
2N7000
75
600
mA
V
GS = 10 V,
V
DS >
2 V
DS(on)
2N7002
500
2700
V
GS = 10 V,
V
DS >
2 V
DS(on)
NDS7002A
500
2700
g
FS
Forward Transconductance
V
DS = 10 V, ID = 200 mA
2N7000
100
320
mS
V
DS >
2 V
DS(on), ID = 200 mA
2N7002
80
320
V
DS >
2 V
DS(on), ID = 200 mA
NDS7002A
80
320
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
iss
Input Capacitance
V
DS = 25 V,
V
GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
All
20
50
pF
C
oss
Output Capacitance
All
11
25
pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
All
4
5
pF
t
on
Turn-On Time
V
DD = 15 V, RL = 25 ,
I
D = 500 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N7000
10
ns
V
DD = 30 V, RL = 150 ,
I
D = 200 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N700
NDS7002A
20
t
off
Turn-Off Time
V
DD = 15 V, RL = 25 ,
I
D = 500 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N7000
10
ns
V
DD = 30 V, RL = 150 ,
I
D = 200 mA, VGS = 10 V,
R
GEN = 25
2N700
NDS7002
A
20
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS
I
S
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
2N7002
115
mA
NDS7002A
280
I
SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
2N7002
0.8
A
NDS7002A
1.5
V
SD
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
GS = 0 V,
I
S = 115 mA (Note 1)
2N7002
0.88
1.5
V
GS = 0 V,
I
S = 400 mA (Note 1)
NDS7002
A
0.88
1.2
Note:
1. Pulse Test: Pulse Width < 300s, Duty Cycle < 2.0%.
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000J18Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000L-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-K | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000L | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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