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参数资料
| 型号： | 2N7000D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | 2N7000D74Z |
Electrical Characteristics T
A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Typ
e
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
BV
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS = 0 V, ID = 10 A
All
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS = 48 V, VGS = 0 V
2N7000
1
A
T
J=125°C
1
mA
V
DS = 60 V, VGS = 0 V
2N7002
NDS7002A
1
A
T
J=125°C
0.5
mA
I
GSSF
Gate - Body Leakage, Forward
V
GS = 15 V, VDS = 0 V
2N7000
10
nA
V
GS = 20 V, VDS = 0 V
2N7002
NDS7002A
100
nA
I
GSSR
Gate - Body Leakage, Reverse
V
GS = -15 V, VDS = 0 V
2N7000
-10
nA
V
GS = -20 V, VDS = 0 V
2N7002
NDS7002A
-100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 1)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS = VGS, ID = 1 mA
2N7000
0.8
2.1
3
V
DS = VGS, ID = 250 A
2N7002
NDS7002A
1
2.1
2.5
R
DS(ON)
Static Drain-Source On-Resistance V
GS = 10 V, ID = 500 mA
2N7000
1.2
5
T
J =125°C
1.9
9
V
GS = 4.5 V, ID = 75 mA
1.8
5.3
V
GS = 10 V, ID = 500 mA
2N7002
1.2
7.5
T
J =100°C
1.7
13.5
V
GS = 5.0 V, ID = 50 mA
1.7
7.5
T
J =100C
2.4
13.5
V
GS = 10 V, ID = 500 mA
NDS7002
A
1.2
2
T
J =125°C
2
3.5
V
GS = 5.0 V, ID = 50 mA
1.7
3
T
J =125°C
2.8
5
V
DS(ON)
Drain-Source On-Voltage
V
GS = 10 V,
I
D = 500 mA
2N7000
0.6
2.5
V
GS = 4.5 V,
I
D = 75 mA
0.14
0.4
V
GS = 10 V,
I
D = 500mA
2N7002
0.6
3.75
V
GS = 5.0 V,
I
D = 50 mA
0.09
1.5
V
GS = 10 V,
I
D = 500mA
NDS7002A
0.6
1
V
GS = 5.0 V,
I
D = 50 mA
0.09
0.15
2N7000.SAM Rev. A1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N7000J18Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000L | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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