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参数资料
| 型号： | 2N7000D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 746K |
| 代理商： | 2N7000D74Z |
2N7000.SAM Rev. A1
0
1
2
3
4
5
0
0 .5
1
1 .5
2
V
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DR
A
IN-SOURCE
CURRENT
(A)
9.0
4.0
8.0
3.0
7.0
V
= 10V
GS
DS
D
5.0
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0 .5
0 .75
1
1 .25
1 .5
1 .75
2
T , JUNCTION T EMPERATURE (°C)
DRAI
N
-SOURCE
ON-RESISTANCE
J
R
,
NO
R
MA
LIZED
DS(ON)
V
= 10V
GS
I
= 500mA
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0 .8
0 .85
0 .9
0 .95
1
1 .05
1 .1
T , JUNCTION TEM PERATU RE (°C)
GAT
E-SOURCE
THRESHOLD
VOLTAGE
J
I
= 1 mA
D
V
= V
DS
GS
V
,
NOR
MAL
IZED
th
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0 .5
1
1 .5
2
2 .5
3
I
, DRA IN CURRENT (A)
DRAI
N
-SOURCE
ON-RESISTANCE
V
=4.0V
GS
D
R
,
NO
RMALIZED
DS(on)
7 .0
4 .5
10
5 .0
6 .0
9 .0
8 .0
0
0 .4
0 .8
1 .2
1 .6
2
0
0 .5
1
1 .5
2
2 .5
3
I
, DRAIN CURRENT (A)
DRAIN-SOURCE
ON-RESISTANCE
T = 125° C
J
25° C
-55°C
D
V
= 10V
GS
R
,
NO
RMALIZED
DS(on)
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
0
2
4
6
8
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
,
DR
A
IN
CURRENT
(A)
V
= 10V
DS
GS
D
T
= -55°C
J
25° C
125° C
2N7000 / 2N7002 / NDS7002A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7000J18Z | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7000L-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-K | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000-T92-R | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2N7000L | 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N7000-D74Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000-D75Z | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-92-3 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 基本零件编号:2N7000 标准包装:1 |
| 2N7000G | 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G | 功能描述:MOSFET 60V 5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| 2N7000-G P002 | 制造商:Supertex Inc 功能描述:N-Channel MOSFET |
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