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参数资料
| 型号： | 2N7002A-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 180MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 115mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 23pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 370mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 2N7002A-7DIDKR |
2N7002A
9
2.5
8
2.0
7
6
5
1.5
4
3
2
V GS = 5V
V GS = 10V
1.0
0.5
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
I D = 250μA
100
10
C iss
C oss
1.0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1
0
C rss
5 10 15 20 25 30 35
40
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
0.01
0.001
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.0001
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 7 Reverse Drain Current vs. Source-Drain Voltage
2N7002A
Document number: DS31360 Rev. 12 - 2
4 of 6
www.diodes.com
July 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002DW-7 | MOSFET N-CHANEL DUAL 60V SOT-363 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N7002AQ-7 | 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5 欧姆 @ 115mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
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