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参数资料
| 型号： | 2SA1797L-B-TN3-T |
| 厂商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 封装： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | 2SA1797L-B-TN3-T |
2SA1797
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R208-029,E
TYPICAL CHARACTERISTICS
0 -0.2 -0.4 -0.6
-1m
Grounded Emitter Propagation
Characteristics
Co
lle
ctor
Curre
nt,
Ic
(mA)
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
-0.8 -1.0
02
6
Grounded Emitter Output
Characteristics
Collector
Current,
Ic
(A)
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
810
13
4
5
7
9
0
200m
400m
600m
800m
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Ta=25℃
IB=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
-1.2 -1.4
-2m
-5m
-0.01
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
T
a
=
1
0
℃
T
a
=
2
5
℃
T
a
=
-4
0
℃
VCE=2V
DC
Current
Gain,
h
FE
Co
lle
ctor
Saturatio
n
voltag
e,
V
CE(
SAT)
(V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1797G-A-TN3-R | 2 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| 2SA1801 | Si, PNP, RF POWER TRANSISTOR |
| 2SA1802 | 3000 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1804 | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1804-O | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1797T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1797T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 50V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1804 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:-120V -8A 70W Bce Toshiba Transistor 2-16F1A |
| 2SA1804-O | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SA1804-R(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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