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参数资料
| 型号： | 2SA1973 |
| 厂商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor for DC/DC Converter Applications(用于DC/DC变换器的PNP硅外延平面型晶体管) |
| 中文描述： | 进步党硅外延平面晶体管直流/直流转换器应用程序（用于直流/直流变换器的新进步党硅外延平面型晶体管） |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SA1973 |
2SA1973/2SC5310
No.5613–2/4
Continued on preceding page.
Switching Time Test Circuit
VR
RL
VCC=12V
VBE=--5V
20IB1= --20IB2= IC=500mA
+
50
INPUT
OUTPUT
1k
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
(For PNP, the polarity is reversed.)
T
a=75
°C
--25
°C
25
°C
2SA1973
VCE=--2V
Pulse
--1000
--800
--600
--200
--400
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.2
--1.0
IC -- VBE
ITR08236
2SC5310
VCE=2V
Pulse
IC -- VBE
ITR08237
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.0
T
a=75
°C
--25
°C
1000
800
600
200
400
0
25
°C
IB=0
--2mA
IB=0
2mA
4mA
6mA
--6mA
ITR08235
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
--0.8
--2.0
--1.6
--0.4
--1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.8
1.6
2.0
0.4
1.2
IC -- VCE
2SA1973
Pulse
ITR08234
IC -- VCE
2SC5310
Pulse
--4mA
Collector
Current,
I C
–A
Collector
Current,
I C
–m
A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Collector
Current,
I C
–A
Collector-to-Emitter Voltage, VCE –V
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
Collector
Current,
I C
–m
A
Base-to-Emitter Voltage, VBE –V
r
e
t
e
m
a
r
a
Pl
o
b
m
y
Ss
n
o
i
t
i
d
n
o
C
s
g
n
i
t
a
R
t
i
n
U
n
i
mp
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tx
a
m
t
c
u
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o
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P
h
t
d
i
w
d
n
a
B
-
n
i
a
GfT
V E
C
I
,
V
0
1
)
–
(
=
C
A
m
0
5
)
–
(
=0
5
1z
H
M
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
t
u
p
t
u
Ob
o
CV B
C
z
H
M
1
=
f
,
V
0
1
)
–
(
=9
1
)
2
3
(F
p
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV E
C
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
5
)
–
(
=
B
A
m
5
2
)
–
(
=
)
0
5
1
–
()
0
3
–
(V
m
0
10
0
2V
m
e
g
a
t
l
o
V
n
o
i
t
a
r
u
t
a
S
r
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t
i
m
E
-
o
t
-
e
s
a
BV E
B
)
t
a
s
(IC
I
,
A
m
0
5
)
–
(
=
B
A
m
5
2
)
–
(
=5
8
.
0
)
–
(2
.
1
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
B
C
)
R
B
(
IC
I
,
A
0
1
)
–
(
=
E 0
=0
3
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
r
e
t
i
m
E
-
o
t
-
r
o
t
c
e
ll
o
CV
O
E
C
)
R
B
(
IC
R
,
A
m
1
)
–
(
=
E
B =∞
5
2
)
–
(V
e
g
a
t
l
o
V
n
w
o
d
k
a
e
r
B
e
s
a
B
-
o
t
-
r
e
t
i
m
EV
O
B
E
)
R
B
(
IE
I
,
A
0
1
)
–
(
=
C 0
=6
)
–
(V
e
m
i
T
N
O
-
n
r
u
Tt n
o
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
0
6
)
0
6
(s
n
e
m
i
T
e
g
a
r
o
t
St g
t
s
t
i
u
c
r
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C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
)
0
5
3
(
s
n
0
5
s
n
e
m
i
T
ll
a
Ftf
t
i
u
c
r
i
C
t
s
e
T
d
e
i
f
i
c
e
p
s
e
S
5
2
)
5
2
(s
n
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA2058 | 1500 mA, 10 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA893 | 50 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB1261-Z | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1657 | 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1658 | 5000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SA1977-A | 功能描述:TRANS RF PNP 12V 0.05A SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SA1977-L-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:GP BJT |
| 2SA1977-T1B-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:8.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.5dB @ 1GHz 增益:12dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 20mA，8V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标准包装:3,000 |
| 2SA1977-T1B-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SA1978-A | 功能描述:RF TRANSISTOR PNP SOT-23 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:2dB @ 1GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 15mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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