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参数资料
| 型号： | 2SAR533PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SAR533PT100 |
2/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Data Sheet
2SAR533P
Electrical characteristic (Ta = 25
C)
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
BVCEO
-50
-
V
IC= -1mA
Collector-base breakdown voltage
BVCBO
-50
-
V
IC= -100μA
Emitter-base breakdown voltage
BVEBO
-6
-
V
IE= -100μA
Collector cut-off current
ICBO
--
-1
A VCB= -50V
Emitter cut-off current
IEBO
--
-1
A VEB= -4V
Collector-emitter staturation voltage
VCE(sat)
-
-200
-400
mV IC= -1A, IB= -50mA
DC current gain
hFE
180
-
450
-
VCE= -3V, IC= -50mA
Turn-on time
ton
-45
-
ns
Storage time
tstg
-
250
-
ns
Fall time
tf
-35
-
ns
*1 Pulsed
*2 See switching time test circuit
-24
Collector output capacitance
Cob
Conditions
Parameter
MHz
300
-
VCE= -10V
IE=500mA, f=100MHz
Transition frequency
fT
-
pF
VCB= -10V, IE=0A
f=1MHz
-
IC= -1.5A, IB1= -150mA,
IB2=150mA, VCC -10V
*2
~_
*1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| 2SAR542P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
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