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参数资料
| 型号： | 2SAR533PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SAR533PT100 |
2SK3141
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7
Case Temperature TC (°C)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(m
)
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Drain Current ID (A)
Forward
Transfer
Admittance
y
fs
(S)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
Dynamic Input Characteristics
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
Switching Characteristics
Switching
Time
t
(ns)
Drain Current ID (A)
20
16
12
8
4
–50
0
50
100
150
200
0
V
= 10 V
GS
4 V
Pulse Test
10, 20, 50 A
ID = 50 A
10, 20 A
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
100
200
20
50
10
2
5
1
0.5
Tc = –25
°C
75
°C
25
°C
VDS = 10 V
Pulse Test
0.1
0.3
1
3
10
30
100
010
20
30
40
50
1000
10000
3000
50
40
30
20
10
0
20
16
12
8
4
80
160
240
320
400
0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
100
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A /
s
VGS = 0, Ta = 25°C
300
20
1
100
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
ID = 75 A
VGS
VDS
VDD = 20 V
10 V
5 V
0.5
5
VDD = 20 V
10 V
5 V
500
50
VGS = 10 V, VDD = 10 V
PW = 5
s, duty < 1 %
tr
td(on)
td(off)
tf
30000
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