- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录49904 > 2SAR533PT100 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SAR533PT100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SAR533PT100 |
2SK3141
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7
Main Characteristics
Power vs. Temperature Derating
Channel
Dissipation
Pch
(W)
Case Temperature TC (°C)
Maximum Safe Operation Area
Drain to Source Voltage VDS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Typical Output Characteristics
Drain
Current
I
D
(A)
Drain to Source Voltage VDS (V)
Typical Transfer Characteristics
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain
Current
I
D
(A)
Gate to Source Voltage VGS (V)
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Drain
to
Source
Saturation
Voltage
V
DS
(on)
(V)
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(m
)
160
120
80
0
50
100
150
200
0.1
0.3
1
3
10
30
100
80
60
40
20
0
24
6
8
10
1000
300
100
30
10
1
0.3
0.1
3
Ta = 25
°C
10
s
100
s
1 ms
DC
Operat
ion
(Tc
=
25
°C)
Operation in
this area is
limited by RDS(on)
PW
=
10
ms
(1
s
hot)
3 V
40
5 V
4 V
2.5 V
100
80
60
40
20
0
12
34
5
Tc = –25
°C
25
°C
75
°C
VDS = 10 V
Pulse Test
VGS = 10 V
0
48
12
16
20
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
Pulse Test
ID = 50 A
20 A
10 A
1
30
100
3
100
0.3
1
0.1
10
1000
10
3
30
300
VGS = 4 V
10 V
Pulse Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SAR544RTL | 2500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB0710S | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SB0945Q | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB945R | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SB945P | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SAR542D | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V/-5A) |
| 2SAR542DTL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SAR542F3TR | 功能描述:TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:3A 电压 - 集射极击穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2.1W 频率 - 跃迁:240MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-UDFN，裸露焊盘 供应商器件封装:HUML2020L3 标准包装:1 |
| 2SAR542P | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
| 2SAR542P_09 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (-30V / -5A) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。