参数资料
型号: 2SB1219S
厂商: PANASONIC CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 507K
代理商: 2SB1219S
2SB1219
SJC00072DED
3
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
SMini3-G1
Unit: mm
(0.65)
1.3 ±0.1
(0.65)
0.3
1.
25
±0
.1
0
(0
.4
25
)
2.
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2.0 ±0.2
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0.
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0.15
+0.1
0.0
+0
.2
0
.1
+0.10
0.05
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