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参数资料
| 型号： | 2SB1260 |
| 厂商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SB1260 |
2SB1260
PNP
Plastic-Encapsulate
Transistors
Features
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25 )
Collector current: ICM = -1A
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -80V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55
to + 150
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=-50
A, IE=0)
-80
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
ICBO
Collector cut-off Current
(VCB=-60V, IE=0)
---
-1.0
IEBO
Emitter cut-off Current
(VEB=-4V, IC=0)
---
-1.0
hFE
DC current gain
(VCE=-3V, IC=-0.1A)
82
---
390
---
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=-0.5A, IB=-0.05A)
fT
Transition Frequency
(VCE=-5.0Vdc, IC=-0.05Adc,F=30MHZ)
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
P
Q
R
Range
82-180
120-270
180-390
Marking
ZL
A
B
C
D
G
H
F
E
K
J
SOT-89
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
Revision: 3
2007/03/01
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
MHZ
---
-80
uA
V
uA
(IC=-1mA, IB=0)
(IE=-50
A, IC=0)
---
-5.0
V
80
---
---
-0.4
Case Material: Molded Plastic.
UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
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