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参数资料
| 型号： | 2SB1282 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | 2SB1282 |
Unit : mm
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Case : ITO-220
DarlingtonTransistor
4A PNP
2SB1282
(TP4J10)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`+150
Junction Temperature
Tj
+150
Collector to Base Voltage
VCBO
-100
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
-100
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
-7
V
Collector Current DC
IC
-+4
A
Collector Current Peak
ICP
-+6
A
Base Current DC
IB
-0.3
A
Base Current Peak
IBP
-0.5
A
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
25
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case AC 1 minute
2kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.3Nmj
0.5
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB = -100V
Max -0.1
mA
ICEO
VCE = -100V
Max -0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB = -7V
Max -5
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = -3V, IC = -1A
Min 1,500
Max 15,000
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = -1A
Max -1.5
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = -2mA
Max -2.0
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 5.0
/W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = -0.4A
TYP 20
MHz
Turn on Time
ton
Max 1
IC = -1A
Storage Time
ts
IB1 = IB2 = -2mA
Max 4
s
RL = 25
Fall Time
tf
VBB2 = -4V
Max 2
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参数描述 |
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