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参数资料
| 型号： | 2SB1282 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | ITO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | 2SB1282 |
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20
40
60
80
100
0
50
100
150
2SB1282
Collector Current Derating
Collector
Current
Derating
[%]
VCE = fixed
PT limit
IS/B limit
Case Temperature Tc [
°C]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1310A | 2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126F |
| 2SB1319R | 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1320AS | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1347P | 12 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SB1386T100/PR | 5 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SB1282-4100 | 功能描述:达林顿晶体管 V=-100 IC=4 HFE=1500 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1283 | 制造商:Shindengen 功能描述: |
| 2SB1284-4000 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-10 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1285-7100 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
| 2SB1285-7112 | 功能描述:达林顿晶体管 VCEO=-100 IC=-15 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
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