型号: | 2SB1260G-R-TN3-R |
厂商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分类: | 功率晶体管 |
英文描述: | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
封装: | HALOGEN FREE PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 230K |
代理商: | 2SB1260G-R-TN3-R |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SB1260T100Q | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SB1260T100 | 制造商:Rohm 功能描述:PNP Cut Tape |
2SB1260T100P | 功能描述:两极晶体管 - BJT DVR PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1260T100Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1260T100R | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1261-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,60V,3.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |