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参数资料
| 型号： | 2SB1580T100 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MPT3, SC-62, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SB1580T100 |
2SB1580 / 2SB1316
Transistors
Rev.A
2/2
Electrical characteristics curve
BASE TO EMITTER VOLTAGE : VBE
(V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
Fig.2 Grounded emitter propagation
characteristics
10
2
1
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
5
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Ta
=25
°C
VCE
= 2V
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE
(V)
Fig.1 Grounded emitter output characteristics
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
5
4
3
2
1
0
Ta
=25°C
IB=
0.3mA
0.4mA
1mA
0.9mA
0.8mA
0.6mA
0.5mA
0.7mA
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
DC
CURRENT
GAIN
:
h
EF
Fig.3 DC current gain vs. collector current
200
500
1k
2k
5k
10k
100
50
20
10
2
1
0.2
0.1
0.01 0.02 0.05
0.5
5
Ta
=25
°C
VCE
= 2V
COLLECTOR CURRENT : IC
(A)
COLLECTOR
SATURATION
VOLTAGE
:
V
CE(sat)
(V)
Fig.4 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
50
20
10
2
1
0.1
0.2
0.5
5
10
2
1
0.2
0.1
0.05
0.5
5
Ta
=25
°C
IC / IB
=1000
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB
(V)
COLLECTOR
OUTPUT
CAPACITANCE:
C
ob
(pF)
Fig.5 Collector output capacitance
vs. collector-base voltage
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
100
20
10
2
1
0.1 0.2
0.5
5
50
Ta
=25
°C
IE
=0A
f
=1MHz
Fig.6 Safe Operating area (2SB1580)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
2
5
10
20
50
0.2
0.5 1
2
5 10
20 50 100 200 500
Ic Max. (Pulse)
DC
Pw=10ms
Pw
=100ms
Ta=25
°C
Single
NONREPETITIVE
PULSE
Fig.7 Safe Operating area (2SB1316)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)
COLLECTOR
CURRENT
:
I
C
(A)
10m
20m
50m
100m
200m
500m
1
2
5
10
20
50
0.2
0.5 1
2
5 10
20 50 100 200 500
Ic Max. (Pulse)
DC
Pw=10ms
Pw
=100ms
Ta=25
°C
Single
NONREPETITIVE
PULSE
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