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参数资料
| 型号： | 2SC4957 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | 2SC4957 |
Data Sheet PU10520EJ01V0DS
4
2SC4957
Collector Current IC (mA)
INSERTION POWER GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Collector Current IC (mA)
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
Noise
Figure
NF
(dB)
1
12
VCE = 1 V
10
8
6
4
2
5
10
20
50
f = 2 GHZ
VCE = 3 V
VCE = 5 V
4
0.5
3
2
1
0
12
5
10
20
50
f = 2 GHZ
VCE = 3 V
Remark The graphs indicate nominal characteristics.
S-PARAMETERS
S-parameters/Noise parameters are provided on the NEC Compound Semiconductor Devices Web site in a form
(S2P) that enables direct import to a microwave circuit simulator without keyboard input.
Click here to download S-parameters.
[RF and Microwave]
→ [Device Parameters]
URL http://www.ncsd.necel.com/
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 2SC4959-T2T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SC4964 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SC4959-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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