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参数资料
| 型号： | 2SC4959-T1T83-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-3 |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC4959-T1T83-A |
PART
NUMBER
Embossed tape 8 mm wide.
2SC4959–T1
3 Kpcs/Reel.
Pin3 (Collector) face to perfora-
tion side of the tape.
Embossed tape 8 mm wide.
2SC4959–T2
3 Kpcs/Reel.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face
to perforation side of the tape.
1992
DATA SHEET
The mark 5 shows revised points.
SILICON TRANSISTOR
2SC4959
Caution; Electrostatic sensitive Device.
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
SUPER MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
Cre = 0.4 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
QUANTITY
PACKING STYLE
Document No. P10382EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2410)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
1995
1.25
± 0.1
2.1
± 0.1
2.0
±0.2 0.3
–0
+0.1
0.65
0.3
–0
+0.1
2
1
3
0.9
±0.1
0.3
0.15
–0.05
+0.1
0
to
0.1
Marking
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
Emitter
Base
Collector
Collector to Base Voltage
VCBO
9V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
6V
Emitter to Base Voltage
VEBO
2V
Collector Current
IC
30
mA
Total Power Dissipation
PT
150
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
–65 to +150
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°C)
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation
sample.
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4959)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4959-T2T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959-T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4964 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4965YV-TL-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4977 | 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4978-7061 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7101 | 功能描述:两极晶体管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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