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参数资料
| 型号： | 2SC4959-T1T83-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PLASTIC, SUPERMINI-3 |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2SC4959-T1T83-A |
2SC4959
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITION
Collector Cutoff Current
ICBO
0.1
AVCB = 5 V, IE = 0
Emitter Cutoff Current
IEBO
0.1
AVEB = 1 V, IC = 0
DC Current Gain
hFE
75
150
VCE = 3 V, IC = 10 mA*1
Gain Bandwidth Product
fT
12
GHz
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz
Feed back Capacitance
Cre
0.4
0.7
pF
VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz*2
Insertion Power Gain
|S21e|2
7
8.5
dB
VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2.0 GHz
Noise Figure
NF
1.5
2.5
dB
VCE = 3 V, IC = 3 mA, f = 2.0 GHz
*1
Pulse Measurement ; PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2 % Pulsed.
*2
Measured with 3 terminals bridge, Emitter and Case should be grounded.
hFE Classification
Rank
T83
Marking
T83
hFE
75 to 150
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
50
200
100
0
50
100
150
40
30
20
10
0
0.5
1.0
VCE = 3 V
TOTAL POWER DISSIPATION
vs.AMBIENT TEMPERATURE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Free Air
P
T–
Total
Power
Dissipation
–
mW
IC
–
Collector
Current
–
mA
TA – Ambient Temperature – °C
VBE – Base to Emitter Voltage – V
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PDF描述 |
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