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参数资料
型号： 2SC5702
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： MFPAK-3
文件页数： 1/16页
文件大小： 101K
代理商： 2SC5702
2SC5702
Silicon NPN Epitaxial
High Frequency Amplifier / Oscillator
ADE-208-1414 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Features
High gain bandwidth product
f
T = 8 GHz typ.
High power gain and low noise figure ;
PG = 13 dB typ., NF = 1.05 dB typ. at f = 900 MHz
Outline
MFPAK
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
3
2
Note:
Marking is “ZS-”.
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PDF描述
2SC5704-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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2SC5736-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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参数描述
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2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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