参数资料
型号: 2SC5702
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: MFPAK-3
文件页数: 11/16页
文件大小: 101K
代理商: 2SC5702
2SC5702
4
01
10
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.4
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IE = 0
f = 1 MHz
Collector Input Capacitance vs.
Emitter To Base Voltage
Input
Capacitance
Cib
(pF)
Emitter to Base Voltage
VEB (V)
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
Collector
Output
Capacitance
Cob
(pF)
Collector to Base Voltage
VCB
(V)
Reverse Transfer capacitance vs.
Collector To Base Voltage
Reverse
Transfer
Capacitance
Cre
(pF)
Collector to Base Voltage
VCB (V)
01
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
E: Guard pin
f = 1 MHz
相关PDF资料
PDF描述
2SC5704-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5736-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5703(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2