- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41505 > 2SC5702 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5702 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | MFPAK-3 |
| 文件页数： | 14/16页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2SC5702 |
2SC5702
7
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
2
3
4
5
10
.6
.4
.2
0
.2
.4
.6
.8
1
1.5
.2
.4
.6 .8 1
2
3 4 5
1.5
10
Scale: 10 / div.
0
°
30
°
60
°
90
°
120
°
150
°
180
°
150°
90°
60°
30°
120°
Scale: 10 / div.
0
°
30
°
60
°
90
°
120
°
150
°
180
°
150°
90°
60°
30°
120°
10
5
4
3
2
1.5
1
.8
2
3
4
5
10
.6
.4
.2
0
.2
.4
.6
.8
1
1.5
.2
.4
.6 .8 1
2
3 4 5
1.5
10
CE
V
= 2 V, Zo = 50
CE
V
= 2 V, Zo = 50
CE
V
= 2 V, Zo = 50
CE
V
= 2 V, Zo = 50
100 to 2000 MHz (100 MHz STEP)
(IC = 5mA)
(IC = 20mA)
100 to 2000 MHz (100 MHz STEP)
(IC = 5mA)
(IC = 20mA)
100 to 2000 MHz (100 MHz STEP)
(IC = 5mA)
(IC = 20mA)
100 to 2000 MHz (100 MHz STEP)
(IC = 5mA)
(IC = 20mA)
S11 Parameter vs. Frequency
S21 Paramter vs. Frequency
S12 Parameter vs. Frequency
S22 Parameter vs. Frequency
Condition :
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5704-FB-A | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704-T3FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704-FB-A | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5704-FB | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5736-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5703(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC5706-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。