收藏本站
参数资料
型号： 2SC5702
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： MFPAK-3
文件页数： 6/16页
文件大小： 101K
代理商： 2SC5702
2SC5702
14
Sparameter (V
CE = 3 V, IC = 20 mA, Zo = 50 )
S11
S21
S12
S22
f (MHz) MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
100
0.564
-54.4
32.56
145.1
0.0221
69.2
0.7913
-35.9
200
0.449
-94.6
22.76
123.2
0.0353
60.3
0.5457
-58.3
300
0.408
-119.2
16.50
111.2
0.0448
60.4
0.3871
-71.0
400
0.377
-136.7
12.76
104.4
0.0529
62.0
0.2929
-78.9
500
0.370
-148.4
10.36
99.6
0.0618
64.1
0.2311
-85.4
600
0.360
-157.6
8.71
95.8
0.0707
65.9
0.1861
-91.3
700
0.365
-165.0
7.52
92.7
0.0801
67.5
0.1524
-96.6
800
0.364
-170.4
6.64
90.0
0.0890
68.4
0.1274
-102.7
900
0.366
-176.1
5.87
87.7
0.0991
69.6
0.1061
-110.4
1000
0.370
-179.9
5.33
85.4
0.1081
70.1
0.0893
-117.9
1100
0.373
174.6
4.87
83.7
0.1178
70.6
0.0768
-126.7
1200
0.387
172.5
4.47
81.8
0.1274
71.1
0.0685
-138.6
1300
0.379
168.0
4.16
80.4
0.1375
71.4
0.0630
-150.7
1400
0.409
164.7
3.85
78.9
0.1473
71.7
0.0603
-162.8
1500
0.399
163.4
3.64
77.1
0.1568
71.6
0.0596
-175.0
1600
0.419
159.1
3.43
75.7
0.1667
71.8
0.0631
174.3
1700
0.427
159.5
3.24
73.9
0.1765
71.8
0.0681
166.3
1800
0.427
156.2
3.09
73.2
0.1862
71.3
0.0757
157.4
1900
0.446
154.6
2.93
71.8
0.1963
71.7
0.0829
152.5
2000
0.444
153.5
2.80
70.2
0.2057
71.4
0.0914
146.9
相关PDF资料
PDF描述
2SC5704-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-T3FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-FB-A S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5704-FB S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5736-FB L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5703(TE85L,F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*