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参数资料
| 型号： | 2SC5703 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2-3S1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2SC5703 |
2SC5703
2004-07-01
2
Marking
W
A
Part No. (or abbreviation code)
Lot code (month)
Lot code (year)
Dot: even year
No dot: odd year
Figure 1
Switching Time Test Circuit &
Timing Chart
IB2
IB1
20
s
Output
Input
IB2
IB1
R
L
VCC
Duty cycle
< 1%
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5706-P-TL-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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