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参数资料
| 型号： | 2SC5704 |
| 英文描述： | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 中文描述： | 晶体管 |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SC5704 |
NE662M16
Collector to Base Voltage, VCB (V)
Reverse
Transfer
Capacitance,
C
re
(pF)
f = 1 MHz
0.20
0.16
0.12
0.08
0.04
02
468
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
Base to Emitter Voltage, VBE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
VCE = 2 V
35
25
30
10
5
20
15
0
0.4
0.2
0.6
0.8
1.0
40
25
20
15
35
30
10
5
01
2
3
4
IB = 50
A
450
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
500 A
1 000
100
10
1
0.1
10
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
30
25
20
15
10
5
0
10
1
100
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
300
250
115
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Mounted on Glass Epoxy Board
(1.08 cm
2 × 1.0 mm (t) )
Ambient Temperature, TA (°C)
Total
Power
Dissipation,
P
tot
(mW)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
Collector to Emitter Voltage, VCE (V)
Collector
Current,
Ic
(mA)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Collector Current, lC (mA)
DC
Current
Gain,
h
FE
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Gain
Bandwdth,
f
T
(GHz)
GAIN BANDWIDTH vs.
COLLECTOR CURRENT
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| 2SC5706-P-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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