收藏本站
参数资料
型号： 2SC5704
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 晶体管
文件页数： 7/9页
文件大小： 63K
代理商： 2SC5704
NE662M16
FREQUENCY
S11
S21
S12
S22
K
MAG1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)
NE662M16
VC = 2 V, IC = 10 mA
0.100
0.66
-12.81
21.08
170.08
0.01
81.45
0.96
-7.79
0.19
34.48
0.200
0.66
-28.48
20.34
161.46
0.01
76.90
0.94
-15.60
0.13
31.43
0.300
0.65
-41.93
19.32
153.18
0.02
70.56
0.90
-22.67
0.16
29.60
0.400
0.63
-53.87
18.18
145.93
0.03
65.20
0.85
-28.92
0.20
28.32
0.500
0.61
-64.70
16.97
139.38
0.03
60.63
0.80
-34.46
0.24
27.29
0.600
0.60
-74.41
15.75
133.63
0.04
56.67
0.75
-39.19
0.28
26.47
0.700
0.58
-82.86
14.65
128.64
0.04
53.54
0.70
-43.27
0.33
25.76
0.800
0.57
-90.61
13.62
124.38
0.04
50.71
0.66
-46.77
0.37
25.14
0.900
0.56
-97.18
12.70
120.59
0.04
48.39
0.62
-49.77
0.41
24.59
1.000
0.55
-103.22
11.88
117.23
0.05
46.60
0.58
-52.36
0.45
24.11
1.100
0.55
-108.53
11.17
114.18
0.05
45.17
0.55
-54.59
0.49
23.68
1.200
0.54
-113.37
10.51
111.31
0.05
43.92
0.52
-56.54
0.52
23.28
1.300
0.54
-117.69
9.95
108.65
0.05
42.92
0.50
-58.27
0.56
22.91
1.400
0.53
-121.63
9.43
106.24
0.05
42.14
0.47
-59.73
0.59
22.57
1.500
0.53
-125.35
8.96
103.96
0.05
41.39
0.45
-61.06
0.63
22.24
1.600
0.52
-128.85
8.50
101.70
0.05
40.83
0.43
-62.21
0.66
21.92
1.700
0.52
-132.25
8.13
99.47
0.06
40.51
0.42
-63.19
0.70
21.65
1.800
0.52
-135.50
7.82
97.63
0.06
40.23
0.40
-64.16
0.73
21.39
1.900
0.51
-138.46
7.48
96.05
0.06
39.88
0.38
-64.99
0.76
21.12
2.000
0.51
-141.58
7.14
94.06
0.06
39.77
0.37
-65.63
0.80
20.83
2.100
0.51
-144.72
6.89
92.12
0.06
39.58
0.36
-66.43
0.82
20.62
2.200
0.50
-147.54
6.66
90.21
0.06
39.38
0.35
-66.83
0.84
20.38
2.300
0.50
-150.41
6.44
88.94
0.06
39.49
0.34
-67.39
0.87
20.17
2.400
0.50
-153.04
6.17
87.15
0.06
39.53
0.33
-67.86
0.90
19.91
2.500
0.50
-155.65
5.98
85.19
0.06
39.40
0.32
-68.39
0.93
19.72
2.600
0.49
-158.30
5.80
83.57
0.07
39.29
0.31
-68.81
0.95
19.50
2.700
0.49
-160.91
5.61
82.16
0.07
39.33
0.30
-69.31
0.98
19.29
2.800
0.49
-163.29
5.40
80.62
0.07
39.31
0.29
-69.61
1.01
18.53
2.900
0.48
-165.82
5.24
78.93
0.07
39.52
0.28
-70.04
1.04
17.69
3.000
0.48
-168.40
5.09
77.50
0.07
39.41
0.27
-70.48
1.06
17.14
3.100
0.47
-171.02
4.93
76.12
0.07
39.56
0.27
-70.87
1.09
16.67
3.200
0.47
-173.52
4.78
74.60
0.07
39.47
0.26
-71.30
1.11
16.22
3.300
0.47
-175.90
4.66
73.12
0.07
39.46
0.25
-71.76
1.13
15.88
3.400
0.47
-178.39
4.53
71.93
0.07
39.49
0.24
-72.30
1.15
15.52
3.500
0.47
179.16
4.39
70.55
0.07
39.50
0.24
-72.89
1.17
15.17
3.600
0.47
176.86
4.27
69.00
0.08
39.45
0.23
-73.50
1.19
14.85
3.700
0.47
174.73
4.18
67.66
0.08
39.36
0.22
-74.30
1.21
14.60
3.800
0.47
172.77
4.06
66.70
0.08
39.24
0.22
-75.12
1.23
14.28
3.900
0.47
170.80
3.93
65.49
0.08
39.22
0.21
-75.94
1.25
13.93
4.000
0.47
168.82
3.83
63.99
0.08
39.15
0.20
-76.91
1.27
13.64
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S21|
|S12|
K - 1
).
2
(K ±
= S11 S22 - S21 S12
When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S21|
|S12|
, K = 1 + | | - |S
11
| - |S22|
2
2 |S12 S21|
,
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
j50
j100
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
10
50
100
25
S11
S22
+90
+45
+0
5 10 15 20
-45
-90
-135
+180
+135
S21
相关PDF资料
PDF描述
2SC5930 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*