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参数资料
型号： 2SC5704
英文描述： Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述： 晶体管
文件页数： 8/9页
文件大小： 63K
代理商： 2SC5704
3-46
FREQUENCY
S11
S21
S12
S22
K
MAG1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
0.100
0.51
-19.24
28.64
168.38
0.01
79.10
0.94
-9.68
0.26
36.13
0.200
0.51
-39.58
27.18
157.71
0.01
74.03
0.90
-19.55
0.20
33.13
0.300
0.51
-56.67
25.27
148.17
0.02
67.79
0.85
-28.23
0.23
31.27
0.400
0.51
-71.47
23.19
140.08
0.02
62.44
0.79
-35.68
0.28
29.98
0.500
0.50
-83.85
21.13
133.18
0.03
58.17
0.72
-41.91
0.33
28.93
0.600
0.50
-94.44
19.22
127.33
0.03
54.93
0.66
-47.08
0.39
28.06
0.700
0.49
-103.20
17.57
122.40
0.03
52.50
0.61
-51.40
0.44
27.33
0.800
0.49
-110.77
16.11
118.27
0.03
50.56
0.56
-55.03
0.49
26.69
0.900
0.49
-117.07
14.85
114.65
0.04
49.13
0.52
-58.07
0.54
26.11
1.000
0.49
-122.58
13.76
111.47
0.04
48.10
0.49
-60.66
0.59
25.60
1.100
0.48
-127.34
12.83
108.63
0.04
47.35
0.46
-62.85
0.64
25.12
1.200
0.48
-131.56
11.98
105.97
0.04
46.96
0.43
-64.73
0.68
24.67
1.300
0.48
-135.30
11.27
103.49
0.04
46.65
0.41
-66.43
0.72
24.27
1.400
0.48
-138.62
10.62
101.28
0.04
46.44
0.39
-67.82
0.75
23.88
1.500
0.48
-141.83
10.04
99.19
0.04
46.48
0.37
-69.05
0.79
23.50
1.600
0.48
-144.87
9.49
97.12
0.05
46.28
0.35
-70.13
0.83
23.14
1.700
0.48
-147.80
9.04
95.06
0.05
46.44
0.33
-71.09
0.86
22.81
1.800
0.47
-150.55
8.66
93.37
0.05
46.55
0.32
-71.97
0.89
22.51
1.900
0.47
-153.08
8.25
91.95
0.05
46.81
0.31
-72.73
0.92
22.19
2.000
0.47
-155.81
7.86
90.10
0.05
46.88
0.29
-73.33
0.95
21.87
2.100
0.47
-158.52
7.56
88.29
0.05
46.96
0.28
-74.04
0.97
21.60
2.200
0.47
-161.02
7.29
86.54
0.05
47.15
0.27
-74.48
0.99
21.33
2.300
0.47
-163.41
7.03
85.38
0.05
47.44
0.26
-74.96
1.01
20.46
2.400
0.47
-165.69
6.72
83.75
0.06
47.56
0.26
-75.41
1.04
19.60
2.500
0.47
-167.97
6.50
81.93
0.06
47.55
0.25
-75.93
1.06
19.05
2.600
0.46
-170.37
6.29
80.42
0.06
47.65
0.24
-76.35
1.07
18.61
2.700
0.46
-172.58
6.07
79.19
0.06
47.79
0.23
-76.85
1.09
18.15
2.800
0.46
-174.73
5.84
77.76
0.06
47.81
0.22
-77.18
1.12
17.64
2.900
0.46
-177.01
5.65
76.22
0.06
47.96
0.21
-77.67
1.14
17.23
3.000
0.45
-179.36
5.49
74.88
0.06
47.89
0.21
-78.08
1.16
16.88
3.100
0.45
178.28
5.31
73.63
0.07
48.00
0.20
-78.62
1.17
16.51
3.200
0.45
176.08
5.14
72.22
0.07
47.97
0.19
-79.11
1.19
16.16
3.300
0.45
173.87
5.00
70.83
0.07
47.81
0.19
-79.69
1.20
15.87
3.400
0.45
171.68
4.86
69.75
0.07
47.81
0.18
-80.42
1.22
15.56
3.500
0.45
169.53
4.71
68.47
0.07
47.78
0.18
-81.20
1.23
15.26
3.600
0.46
167.47
4.58
67.03
0.07
47.68
0.17
-82.06
1.24
14.97
3.700
0.46
165.67
4.47
65.80
0.07
47.46
0.16
-83.19
1.25
14.74
3.800
0.46
163.96
4.34
64.93
0.08
47.30
0.16
-84.30
1.27
14.44
3.900
0.46
162.28
4.21
63.80
0.08
47.24
0.15
-85.66
1.29
14.12
4.000
0.46
160.56
4.09
62.37
0.08
46.96
0.15
-87.01
1.30
13.86
NE662M16
VC = 2 V, IC = 20 mA
NE662M16
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S21|
|S12|
K - 1
).
2
(K ±
= S11 S22 - S21 S12
When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S21|
|S12|
, K = 1 + | | - |S
11
| - |S22|
2
2 |S12 S21|
,
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
j50
j100
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
10
50
100
25
S11
S22
+90
+45
+0
5 10 15 20 25
-45
-90
-135
+180
+135
S11
相关PDF资料
PDF描述
2SC5930 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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