参数资料
型号: 2SC5704
英文描述: Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述: 晶体管
文件页数: 8/9页
文件大小: 63K
代理商: 2SC5704
3-46
FREQUENCY
S11
S21
S12
S22
K
MAG1
GHz
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
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-75.93
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-170.37
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47.65
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1.07
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2.700
0.46
-172.58
6.07
79.19
0.06
47.79
0.23
-76.85
1.09
18.15
2.800
0.46
-174.73
5.84
77.76
0.06
47.81
0.22
-77.18
1.12
17.64
2.900
0.46
-177.01
5.65
76.22
0.06
47.96
0.21
-77.67
1.14
17.23
3.000
0.45
-179.36
5.49
74.88
0.06
47.89
0.21
-78.08
1.16
16.88
3.100
0.45
178.28
5.31
73.63
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48.00
0.20
-78.62
1.17
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3.200
0.45
176.08
5.14
72.22
0.07
47.97
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-79.11
1.19
16.16
3.300
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173.87
5.00
70.83
0.07
47.81
0.19
-79.69
1.20
15.87
3.400
0.45
171.68
4.86
69.75
0.07
47.81
0.18
-80.42
1.22
15.56
3.500
0.45
169.53
4.71
68.47
0.07
47.78
0.18
-81.20
1.23
15.26
3.600
0.46
167.47
4.58
67.03
0.07
47.68
0.17
-82.06
1.24
14.97
3.700
0.46
165.67
4.47
65.80
0.07
47.46
0.16
-83.19
1.25
14.74
3.800
0.46
163.96
4.34
64.93
0.08
47.30
0.16
-84.30
1.27
14.44
3.900
0.46
162.28
4.21
63.80
0.08
47.24
0.15
-85.66
1.29
14.12
4.000
0.46
160.56
4.09
62.37
0.08
46.96
0.15
-87.01
1.30
13.86
NE662M16
VC = 2 V, IC = 20 mA
NE662M16
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS (TA = 25°C)
Note:
1. Gain Calculations:
MAG =
|S21|
|S12|
K - 1
).
2
(K ±
= S11 S22 - S21 S12
When K ≤ 1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S21|
|S12|
, K = 1 + | | - |S
11
| - |S22|
2
2 |S12 S21|
,
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
j50
j100
j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
10
50
100
25
S11
S22
+90
+45
+0
5 10 15 20 25
-45
-90
-135
+180
+135
S11
相关PDF资料
PDF描述
2SC5930 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驱动器应用的NPN硅外延平面型达林顿晶体管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC5706-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-TL-E 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2