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参数资料
| 型号： | 2SC5751-FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC5751-FB-A |
Data Sheet P15657EJ1V0DS
3
2SC5751
TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, TA = +25
°°°°C)
300
250
200
205
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
Total
Power
Dissipation
P
tot
(mW)
Ambient Temperature TA (C)
TOTAL POWER DISSIPATION
vs. AMBIENT TEMPERATURE
Mounted on Glass Epoxy PCB
(1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) )
f = 1 MHz
Reverse
Transfer
Capacitance
C
re
(pF)
Collector to Base Voltage VCB (V)
REVERSE TRANSFER CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
01
4
5
3
26
1 000
100
10
1
0.1
10
100
DC
Current
Gain
h
FE
Collector Current IC (mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
VCE = 3 V
VCE = 3 V
Collector
Current
I
C
(mA)
Base to Emitter Voltage VBE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
100
10
1
0.01
0.001
0.1
0.0001
0.7
0.6
0.5
0.8
0.9
1.0
Collector
Current
I
C
(mA)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
60
30
20
50
40
10
03
12
5
6
7
48
IB : 50 A step
IB = 50 A
100 A
200 A
300 A
400 A
500 A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5752-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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