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参数资料
| 型号： | 2SC5751-FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC5751-FB-A |
Data Sheet P15657EJ1V0DS
2
2SC5751
THERMAL RESISTANCE
Parameter
Symbol
Value
Unit
Junction to Ambient Resistance
Rth j-a
Note
600
°C/W
Note Mounted on 1.08 cm
2
× 1.0 mm (t) glass epoxy PCB
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
DC Characteristics
Collector Cut-off Current
ICBO
VCB = 5 V, IE = 0 mA
100
nA
Emitter Cut-off Current
IEBO
VBE = 1 V, IC = 0 mA
100
nA
DC Current Gain
hFE
Note 1
VCE = 3 V, IC = 20 mA
75
120
150
RF Characteristics
Gain Bandwidth Product
fT
VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
15.0
GHz
Insertion Power Gain
S21e2 VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
10.0
13.5
dB
Noise Figure
NF
VCE = 3 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz,
ZS = Zopt
1.7
2.5
dB
Reverse Transfer Capacitance
Cre
Note 2
VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1 MHz
0.22
0.5
pF
Maximum Available Power Gain
MAG
Note 3
VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz
16.0
dB
Linear Gain
GL
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin =
10 dBm
15.5
dB
Gain 1 dB Compression Output Power
PO (1 dB)
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 1 dBm
15.0
dBm
Collector Efficiency
ηC
VCE = 2.8 V, ICq = 8 mA, f = 1.8 GHz,
Pin = 1 dBm
50
%
Notes 1. Pulse measurement: PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
2. Collector to base capacitance when the emitter grounded
3. MAG =
hFE CLASSIFICATION
Rank
FB
Marking
R54
hFE Value
75 to 150
(K –
√√√√ (K2 – 1) )
S21
S12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T1-A-FB | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC5751-T2-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SC5752-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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