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参数资料
| 型号： | 2SC5751-FB-A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | THIN, SUPER MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SC5751-FB-A |
Data Sheet P15657EJ1V0DS
5
2SC5751
VCE = 3.2 V
f = 0.9 GHz
ICq = 8 mA (RF OFF)
25
20
15
10
5
0
250
50
100
200
150
0
–20
–5
–10
–15
0
5
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, POWER GAIN,
COLLECTOR CURRENT, COLLECTOR
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm),
Power
Gain
G
P
(dB)
Collector
Current
I
C
(mA),
Collector
Efficiency
C
(%)
η
GP
Pout
IC
C
η
VCE = 2.8 V
f = 1.8 GHz
ICq = 8 mA (RF OFF)
25
20
15
10
5
0
250
50
100
200
150
0
–15
0
–5
–10
5
10
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, POWER GAIN,
COLLECTOR CURRENT, COLLECTOR
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm),
Power
Gain
G
P
(dB)
Collector
Current
I
C
(mA),
Collector
Efficiency
C
(%)
η
GP
Pout
IC
C
η
VCE = 3.2 V
f = 2.4 GHz
ICq = 8 mA (RF OFF)
25
20
15
10
5
0
250
50
100
200
150
0
–15
0
–5
–10
5
10
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, POWER GAIN,
COLLECTOR CURRENT, COLLECTOR
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm),
Power
Gain
G
P
(dB)
Collector
Current
I
C
(mA),
Collector
Efficiency
C
(%)
η
GP
Pout
IC
C
η
VCE = 3.2 V
f = 1.8 GHz
ICq = 8 mA (RF OFF)
25
20
15
10
5
0
250
50
100
200
150
0
–15
0
–5
–10
5
10
Input Power Pin (dBm)
OUTPUT POWER, POWER GAIN,
COLLECTOR CURRENT, COLLECTOR
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Output
Power
P
out
(dBm),
Power
Gain
G
P
(dB)
Collector
Current
I
C
(mA),
Collector
Efficiency
C
(%)
η
GP
Pout
IC
C
η
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5751-T2 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5751-FB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5752-T1 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2SC5752-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:SOT-343 标准包装:3,000 |
| 2SC5753-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343F 制造商:cel 系列:- 包装:剪带 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:6V 频率 - 跃迁:12GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.7dB @ 2GHz 增益:13.5dB 功率 - 最大值:205mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 30mA，3V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-343F 供应商器件封装:- 标准包装:1 |
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