- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录41506 > 2SC5945TR-E S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5945TR-E |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6 |
| 文件页数： | 23/38页 |
| 文件大小： | 378K |
| 代理商： | 2SC5945TR-E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页当前第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 1 of 35
2SC5945
Si NPN Epitaxial
High Frequency Medium Power Amplifier
REJ03G0443-0300
Rev.3.00
Aug 03, 2006
Features
Excellent Linearity
P1dB at output = +26 dBm typ. f = 2.4 GHz
High Collector to Emitter Voltage
VCEO = 5 V
Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone.
7 Pin, Lead less, Small mounting area (HWSON-6: 2.0 x 2.0 x 0.8 mm).
Outline
1. Collector
2. Collector
3. Collector
4. Emitter
5. Base
6. Emitter
7. Emitter
RENESAS Package code: PWSN0006JA-A
(Package name: HWSON-6 <TNP-6DTV>)
1
3
6
5
4
2
7
1
3
6
5
4
2
Note:
Marking is “5945”.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
13
V
Collector to emitter voltage
VCEO
5
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
500
mA
Collector power dissipation
Pc
1
Note
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
Value on PCB (40 x 40 x 1.0 mm)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5945TR | S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5975 | HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5998YC | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5998YC | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6026MFV-GR | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC594600L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5946G0L | 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5948-O(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5948-R(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5949-O(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。