收藏本站
参数资料
型号： 2SC5945TR-E
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数： 25/38页
文件大小： 378K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 29 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 50 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.758
-177.0
11.23
86.1
0.029
48.2
0.548
-160.4
500
0.761
179.2
8.87
82.7
0.033
51.3
0.552
-164.7
600
0.764
176.1
7.30
79.9
0.037
53.2
0.556
-167.8
700
0.766
173.4
6.19
77.5
0.041
54.8
0.559
-170.2
800
0.766
170.8
5.36
75.4
0.046
55.7
0.561
-172.3
900
0.766
168.4
4.72
73.5
0.050
56.3
0.564
-174.0
1000
0.768
166.3
4.21
71.7
0.055
56.6
0.566
-175.5
1100
0.769
164.3
3.81
70.1
0.059
57.0
0.568
-176.9
1200
0.769
162.3
3.47
68.5
0.063
56.9
0.570
-178.1
1300
0.769
160.5
3.19
66.9
0.067
56.7
0.571
-179.1
1400
0.768
158.5
2.96
65.2
0.072
56.5
0.572
179.9
1500
0.768
156.6
2.75
63.7
0.076
56.0
0.573
178.9
1600
0.769
154.9
2.58
62.3
0.080
55.8
0.574
178.1
1700
0.772
153.2
2.42
60.8
0.085
55.2
0.576
177.3
1800
0.772
151.7
2.28
59.3
0.089
54.6
0.576
176.6
1900
0.771
150.1
2.16
57.8
0.093
54.1
0.576
175.9
2000
0.768
148.5
2.05
56.3
0.097
53.4
0.576
175.3
2100
0.769
146.8
1.96
54.8
0.101
52.7
0.577
174.7
2200
0.770
145.2
1.87
53.3
0.105
52.0
0.577
174.0
2300
0.772
143.8
1.79
52.0
0.109
51.3
0.577
173.4
2400
0.773
142.4
1.72
50.7
0.113
50.5
0.576
172.8
2500
0.772
141.1
1.66
49.2
0.118
49.8
0.576
172.2
2600
0.770
139.5
1.60
47.7
0.121
48.9
0.576
171.7
2700
0.769
137.9
1.54
46.2
0.126
48.2
0.575
171.1
2800
0.768
136.4
1.49
44.7
0.130
47.2
0.575
170.5
2900
0.769
135.0
1.44
43.3
0.134
46.4
0.574
169.9
3000
0.771
133.7
1.40
42.0
0.138
45.4
0.574
169.3
相关PDF资料
PDF描述
2SC5945TR S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5975 HF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC5998YC UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC6026MFV-GR 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2SC594600L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5946G0L 功能描述:TRANS NPN 20VCEO 50MA SSSMINI-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR
2SC5948-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5948-R(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2SC5949-O(Q) 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*