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参数资料
型号： 2SC5945TR-E
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, TNP-6DTV, HWSON-6
文件页数： 24/38页
文件大小： 378K
代理商： 2SC5945TR-E
2SC5945
Rev.3.00 Aug 03, 2006 page 28 of 35
S parameter
(VCE = 3.6 V, IC = 30 mA, Zo = 50
)
S11
S21
S12
S22
f (MHz)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
MAG
ANG (deg.)
400
0.751
-171.6
10.66
87.6
0.034
38.4
0.519
-153.4
500
0.755
-176.4
8.45
83.7
0.037
41.4
0.520
-158.7
600
0.759
179.8
6.96
80.5
0.040
43.3
0.523
-162.5
700
0.761
176.6
5.90
77.8
0.044
45.3
0.525
-165.5
800
0.762
173.7
5.11
75.5
0.048
46.4
0.527
-168.0
900
0.763
171.0
4.50
73.4
0.051
47.7
0.529
-170.0
1000
0.765
168.6
4.01
71.5
0.055
48.8
0.532
-171.7
1100
0.766
166.5
3.63
69.8
0.059
49.5
0.534
-173.2
1200
0.767
164.4
3.30
68.0
0.063
50.1
0.536
-174.6
1300
0.767
162.4
3.04
66.3
0.067
50.3
0.537
-175.8
1400
0.767
160.3
2.82
64.5
0.071
50.5
0.539
-176.9
1500
0.767
158.3
2.62
62.9
0.074
50.5
0.540
-177.9
1600
0.768
156.5
2.45
61.4
0.078
50.5
0.541
-178.7
1700
0.772
154.8
2.30
59.8
0.082
50.3
0.543
-179.5
1800
0.771
153.3
2.17
58.3
0.086
50.0
0.544
179.7
1900
0.771
151.6
2.05
56.7
0.090
49.8
0.544
179.0
2000
0.769
150.0
1.95
55.1
0.093
49.4
0.545
178.4
2100
0.769
148.2
1.86
53.5
0.097
48.9
0.546
177.8
2200
0.770
146.6
1.78
52.0
0.101
48.4
0.546
177.1
2300
0.773
145.1
1.70
50.6
0.105
47.9
0.546
176.5
2400
0.774
143.7
1.63
49.2
0.109
47.4
0.546
175.9
2500
0.774
142.4
1.57
47.7
0.113
46.8
0.547
175.4
2600
0.772
140.8
1.51
46.1
0.116
46.0
0.547
174.8
2700
0.771
139.1
1.46
44.6
0.120
45.6
0.547
174.3
2800
0.771
137.6
1.41
43.0
0.124
44.9
0.547
173.7
2900
0.772
136.2
1.37
41.7
0.128
44.1
0.547
173.2
3000
0.773
134.8
1.33
40.3
0.132
43.3
0.547
172.6
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