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参数资料
| 型号： | 2SC5949-R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2SC5949-R |
Data Sheet D14864EJ2V0DS
2
2SD2161
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
ICBO
VCB = 100 V, IE = 0 A
1.0
A
hFE1
VCE = 2.0 V, IC = 2.0 A
Note
2,000
8,000
20,000
DC current gain
hFE2
VCE = 2.0 V, IC = 4.0 A
Note
500
Collector saturation voltage
VCE(sat)
IC = 2.0 A, IB = 2.0 mA
Note
1.5
V
Base saturation voltage
VBE(sat)
IC = 2.0 A, IB = 2.0 mA
Note
2.0
V
Gain bandwidth product
fT
VCE = 5.0 V, IC = 0.5 A
30
MHz
Collector capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0 A, f = 1.0 MHz
35
pF
Turn-on time
ton
1.0
s
Storage time
tstg
3.5
s
Fall time
tf
IC = 2.0 A, RL = 25
,
IB1 =
IB2 = 2.0 mA, VCC 50 V
Refer to the test circuit.
1.2
s
Note Pulse test PW
≤ 350
s, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE1
2,000 to 5,000
4,000 to 10,000
8,000 to 20,000
SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT
%DVH FXUUHQW
ZDYHIRUP
&ROOHFWRUFXUUHQW
ZDYHIRUP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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