- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33419 > 2SC5949-R 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC5949-R |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | LEAD FREE, 2-21F1A, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | 2SC5949-R |
Data Sheet D14864EJ2V0DS
3
2SD2161
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°°°°C)
To
ta
lP
ow
er
Di
ss
ipat
io
n
P
T
(
W
)
Case Temperature TC (
°C)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
Case Temperature TC (
°C)
Derat
ing
dT
(
%
)
Trans
ient
Ther
m
al
Res
is
tan
ce
r
th
(t
)
(°
C/W
)
Pulse Width PW (s)
Col
le
ct
or
Current
IC
(A
)
Without
heatsink
Rth(j – a)
Single pulse
With infinite heatsink
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5949 | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC5950 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5957-N | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC5979 | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC5979 | 5000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC5949-R(Q) | 功能描述:两极晶体管 - BJT Transistor NPN 200V 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC59540Q | 功能描述:TRANS NPN 60VCEO 3A TO-220D RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC5964-S-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-S-TD-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC5964-TD-E | 功能描述:两极晶体管 - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。