- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30573 > 2SC6080 13 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2SC6080 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 13 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封装： | TO-220ML, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SC6080 |
2SC6080
No. A0277-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=1A
180
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=1MHz
73
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=6A, IB=300mA
200
400
mV
Base-to-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=6A, IB=300mA
1.2
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=100A, IE=0A
60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CES
IC=100A, RBE=0
60
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=1mA, RBE=∞
50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=100A, IC=0A
6
V
Turn-ON Time
ton
See specified Test Circuit.
46
ns
Storage Time
tstg
See specified Test Circuit.
450
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
35
ns
Package Dimensions
Switching Time Test Circuit
unit : mm
7508-002
VR
RB
VCC=25V
IC=20IB1= --20IB2=5A
VBE= --5V
+
50
RL
INPUT
OUTPUT
100
F
470
F
PW=20
s
IB1
D.C.
≤1%
IB2
10.0
3.2
4.5
2.8
16.0
18.1
5.6
14.0
3.5
7.2
2.4
1.6
1.2
0.7
0.75
2.55
12
3
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
SANYO : TO-220ML
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
A
IC -- VCE
10
8
6
2
4
9
7
3
5
1
0
0.4
0
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
IT10549
10mA
15mA
40mA
60mA
80mA
IB=0mA
5mA
20mA
100mA
150mA
200mA
5.0
4.0
3.0
1.0
2.0
4.5
3.5
1.5
2.5
0.5
0
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
IT10550
10mA
15mA
25mA
IB=0mA
5mA
20mA
40mA
45mA
50mA
30mA
35mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC6092LS | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6092LS | 8 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC6098 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6099 | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC6099-TL | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SC6081 | 功能描述:TRANS NPN 50V 5A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC6082 | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP NPN 15A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC6082-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 15A 50V - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / BIP NPN 15A 50V |
| 2SC6082-1EX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 15A 50V |
| 2SC6082-EPN-1E | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP NPN 15A 50V - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD - BIP NPN 15A 50V |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。