型号: | 2SD2459GS |
厂商: | PANASONIC CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 204K |
代理商: | 2SD2459GS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2SD2463-K | 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2463-M | 2000 mA, 35 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD2465AQ | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2465AP | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SD2467Q | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2SD246 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 1500V 4.5A 16W BEC |
2SD247 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 80V 5A 50W BEC |
2SD2470TP | 功能描述:达林顿晶体管 NPN 10V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
2SD24790RA | 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 2A MT-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):1A 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 100mA,1A 电流 - 集电极截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236) 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
2SD2480(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |