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参数资料
| 型号： | 2SD2459GS |
| 厂商： | PANASONIC CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1000 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, MINIP3-F2, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SD2459GS |
2SK1163, 2SK1164
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 6
2.0
40
160
Case Temperature TC (°C)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
R
DS
(on)
(
)
1.6
0.4
0
80
120
0
0.8
1.2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
ID = 10 A
VGS = 10 V
Pulse Test
2, 5 A
–40
50
0.5
10
Drain Current ID (A)
Forward
Transfer
Admittance
y
fs
(S)
20
2
0.2
1.0
5
0.5
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
VDS = 20 V
Pulse Test
0.1
1.0
2
–25
°C
TC = 25°C
75
°C
5,000
1.0
20
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
2,000
200
0.5
2
10
50
500
1,000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.2
100
5
di/dt = 100 A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
10,000
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
100
10
30
40
10
1,000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
VGS = 0
f = 1 MHz
0
Ciss
Coss
Crss
500
40
100
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Dynamic Input Characteristics
400
100
20
60
80
0
200
300
VDS
20
16
4
0
8
12
VDD = 100 V
250 V
400 V
ID = 8 A
250 V
VDD = 400 V
VGS
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
100 V
500
1.0
20
Drain Current ID (A)
Switching
Time
t
(ns)
200
20
0.5
2
10
5
50
100
0.2
10
5
Switching Characteristics
td (off)
tf
tr
td (on)
VGS = 10 V, VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1%
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