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参数资料
| 型号： | 2SD2651 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2SD2651 |
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5
2SD2651
Silicon NPN Epitaxial
High Voltage Amplifier
REJ03G0809-0200
(Previous ADE-208-976)
Rev.2.00
Aug.10.2005
Features
High breakdown voltage
VCEO = -300V min
Outline
1. Emitter
2. Collector
3. Base
RENESAS Package code: PRSS0003DA-A
(Package name: TO-92 (1))
3
2
1
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
300
V
Collector to emitter voltage
VCEO
300
V
Emitter to base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
750
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55 to +150
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2672TL | 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2687STP | 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2719 | 800 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD313G-E-TA3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313L-C-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2652T106 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653KT146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLV | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLW | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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