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参数资料
| 型号： | 2SD2651 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92(1), 3 PIN |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2SD2651 |
2SK3081
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 5 of 6
Pulse Width
PW (S)
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
γ s
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Source to Drain Voltage
VSD (V)
Reverse
Drain
Current
I
DR
(A)
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
DM
P
PW
T
D =
PW
T
ch – c(t) = s (t)
ch – c
ch – c = 1.67
°C/W, Tc = 25°C
θ
γ
θ
Tc = 25
°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot
pulse
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
VGS = 0, –5 V
5 V
10 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
RL
VDD
= 30 V
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
tf
Switching Time Test Circuit
Waveform
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2672TL | 4000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2687STP | 5000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2719 | 800 mA, 70 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD313G-E-TA3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD313L-C-TF3-T | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD2652T106 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653KT146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2653TL | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLV | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLW | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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