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参数资料
| 型号： | 2SD826G |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 封装： | TO-126, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SD826G |
2SD826
No.538-5/6
Sample Application Circuit 2 : High-grade electronic flash set
F
P
EE16
2SD826
2
DFC05R
S
Nicd
BATTER Y
4
100μF
9V
0.0068μF
10V
0.1μF
400V
0.047μF
400V
1k
Ω
SCR1
DRA03E
DC / DC CONVERTER TRANS
P : 0.6 φ 22 3/4T
F : 0.23 φ 20 3/4T
S : 0.08 φ 1390T
CORE : EE16
SCR2
DRA03E
BYPASS
TUBU
Xe
LAMP
SCR2
PULSE TRANS
INTER FACE
PHOTO
TR
S
MC
500
to 1200μF
440V
33kΩ
1MΩ
+
ITR09936
1k
Ω
VMC -- tC(1)
Main
Capacitor
V
o
ltage,
V
MC
--
V
Charge Time, tC -- s
100
150
250
50
200
0
350
300
24
6
8
10
0
ITR09937
2SD826
2
NiCd battery
4
MC=500
μF
1200
μF
750
μF
900
μF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD826 | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD826F | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD867Y | 10 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD867O | 10 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SD867 | 10 A, 110 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SD832 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 400V V(BR)CEO | 50A I(C) | FBASE-R |
| 2SD833 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANS. TO-220AB 60V 7A 40W BCE |
| 2SD834 | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH POWER DARLINGTON SWITCHING |
| 2SD835 | 制造商:ISC 制造商全称:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 2SD836 | 制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:SI NPN EPITAXIAL PLANAR |
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