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参数资料
| 型号： | 2SJ357 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 3000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封装： | PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | 2SJ357 |
2SJ357
5
Data Sheet D10803EJ3V0DS00
[MEMO]
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ358-T2-AZ | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ358-T2 | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ358-T2-AZ | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ358-T1-AZ | 3000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SJ362(TP) | 2000 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2SJ357-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R Cut Tape |
| 2SJ358 | 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH |
| 2SJ358-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SJ360 | 制造商:KEXIN 制造商全称:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistors |
| 2SJ360(F) | 功能描述:MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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