参数资料
型号: 2SJ645-TL
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: TP-FA, 3 PIN
文件页数: 2/4页
文件大小: 35K
代理商: 2SJ645-TL
2SJ645
No.8334-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--8A
8.7
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--8A
1.5
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--8A
1.8
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--8A, VGS=0V
--1.0
--1.5
V
Package Dimensions
unit : mm
7518-004
7003-004
Switching Time Test Circuit
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.7
1.2
0.6
0.5
2.3
7.0
7.5
1.6
0.8
5.5
1.5
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP
PW=10
s
D.C.
≤1%
0V
--4.5V
VIN
P.G
50
G
S
ID= --4A
RL=2.5
VDD= --10V
VOUT
2SJ645
VIN
D
6.5
5.0
2.3
0.5
12
4
3
0.85
0.6
0.5
1.2
2.3
7.0
2.5
5.5
1.5
0.8
0 to 0.2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
4 : Drain
SANYO : TP-FA
ID -- VDS
IT09643
ID -- VGS
IT09644
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--2
--4
--6
--8
0
--4
--2
--6
--8
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
VGS= --1.0V
--1.5V
--2.0V
--2.5V
--4.5V
VDS= --10V
25
°C
25
°C
75
°C
--25
°C
Ta
=
75
°C
T
a=
--25
°C
--4.0V
--3.5V
--3.0V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
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