参数资料
型号: 2SJ645-TL
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 8000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封装: TP-FA, 3 PIN
文件页数: 3/4页
文件大小: 35K
代理商: 2SJ645-TL
2SJ645
No.8334-3/4
3
7
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3
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--5
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--7
--8
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RDS(on) -- Ta
IT09646
0
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--16
--4
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--8
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--2
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IT09647
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5
2
3
7
5
2
--0.1
--1.0
--10
--0.01
23
5
7
23
5
7
23
5
7
Ta=25
°C
ID= --2A
--4
A
ID=
--2A,
VGS
= --2.5V
ID=
--4A,
VGS
= --4.5V
Ta=
--25
°C
75
°C
25°
C
VDS= --10V
Ta
=
75
°C
25
°C
--
25
°C
VGS=0V
f=1MHz
Coss
Ciss
Crss
IT09649
--10
--0.1
23
5
7
23
5
7
--1.0
SW Time -- ID
td(off)
tf
td(on)
t r
VDD= --10V
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3
--1.0
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A S O
IT09651
01
23
4
9
8
57
6
0
--1.0
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--0.5
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--4.5
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --8A
IDP= --32A
ID= --8A
100
s
1ms
10ms
DC
operation
<10
s
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Static
Drain-to-Source
On-State
Resistance,
R
DS
(on)
-
m
Ambient Temperature, Ta --
°C
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain Current, ID -- A
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
S
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Source
Current,
I
S
--
A
Drain Current, ID -- A
Switching
T
ime,
SW
T
ime
-
ns
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss,
Coss,
Crss
-
pF
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
-
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
-
A
Tc=25
°C
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