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参数资料
| 型号： | 2SJ649 |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 20 A, 60 V, 0.075 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | ISOLATED, TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/10页 |
| 文件大小： | 204K |
| 代理商： | 2SJ649 |
Data Sheet D16332EJ1V0DS
7
2SJ649
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
Isolated TO-220 (MP-45F)
10.0 ± 0.3
3.2 ± 0.2
φ
4.5 ± 0.2
2.7 ± 0.2
2.5 ± 0.1
0.65 ± 0.1
1.5 ± 0.2
2.54
1.3 ± 0.2
2.54
0.7 ± 0.1
4
±
0.2
15.0
±
0.3
12.0
±
0.2
3
±
0.1
12 3
1.Gate
2.Drain
3.Source
13.5
MIN.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ651 | 20 A, 60 V, 0.092 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| 2SJ664 | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ664-TL | 17 A, 100 V, 0.193 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SJ666 | 36 A, 100 V, 0.07 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| 2SJ650 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651 | 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| 2SJ651_03 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications |
| 2SJ651-S | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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